资料介绍
1MOSFET IC使用盲点与对策MOSFET IC 使用盲点与对策
Power MOSFET IC 主要应用在功率电路终端输出段，由于使用上必需面对各种严苛的动作要求与环境 考验，因此 MOSFET IC 经常在使用中遭到破坏，有鉴于此本文要探讨有关 Power MOSFET IC 使用上的盲 点与破坏机制，同时介绍各种对策技巧避免组件产生发热、损毁问题。
Power MOSFET 的破坏模式
表 1 是 MOSFET IC 应用领域与破坏模式一览。Power MOSFET 的破坏模式可分为五大类，分别是: ⑴. 溃散(Avalcache)破坏模式(又称为过电压破坏模式) 当电洞(surge)电压超过组件最大定额电压 VDSS 时，电洞电压会流到 drain 与 source 之间，严重时甚至 会进入降伏电压 V(BR)DSS 领域，当电洞电压累积一定能量(温度、电流、dv/dt)时，就会引发组件损坏等 后果。 ⑵. ASO(Area of Safe Operation)破坏 ASO 破坏是指组件的最大定额 drain 电流 ID， 超过 drain 与 source 之间的电压 VDSS 与容许 channel 损失 Pch 所造成的破坏而言。由于它是过电流、过电压与过电力，超越安全动作领域造成的破坏现象，因此 又称为发热要因破坏。 发热要因可分为连续性与过渡性两种，具体内容分别如下: 连续性发热 a.在活性领域(模拟动作)以直流电力，或是一定的 duty 施加连续脉冲电力时，极易造成组件发热现象。 b.ON 阻抗 RDS(on)造成的损失(尤其是温升造成该损失超越容许散热电力容量时)也会引起组件发热。 c.drain 与 source 之间的漏电电流 IDSS 造成的损失(无冷却风扇封装高温动作的场合除外， 一般而言它比 其它损失低)，也会引起组件发热。 过渡性发热 a.脉冲性过大电力(又称为 on
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