资料介绍
微波放大器电子科技大学电子工 程学院微波工程系
微波放大器
z §2
电子科技大学电子工 程学院微波工程系
微波放大器
§1 前言
设计过程基于晶体管的S参数。 晶体管可以是双极晶体管、FET、HEMT或者是HBT。 低噪声放大器（LNA): 低噪声系数、高增益 功率放大器(PA): 高输出功率、高效率
基本理论
a1
a2 b2
输出匹 配网络
Z0
源 输入匹 配网络
bs
b1
晶 体 管
S11 S21 S12 S22
Γout Zout
Z0
Γs Zs
Γin Zin
ΓL ZL
1
2
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微波放大器
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微波放大器
z
2．1 微波晶体管放大器功率增益
1 .实际功率增益
GP = PL = Pin 1 S 22 Γ L 2 (1 Γin 2 )
S21 (1 Γ L )(1 Γ s )
2 2 2
对于单向化晶体管，有 S12＝0
GT = GTu = 1 Γs
2 2
S 21 (1 Γ L )
2 2
1 S 1 1Γ s
S 21
2
1 ΓL
2 2
1 S 22 Γ L
2. 转换功率增益
GT =
Z0
2
GTu (dB ) = Gs (dB) + G0 (dB) + GL (dB )
(1 S11Γ s )(1 S22 Γ L ) S12 S21Γ S Γ L
源
Gs
G0
GL
Z0
3. 资用功率增益 Gavs
Gavs =
S 21 (1 Γ s )
2 2
Γs
S11
S 22
ΓL
1 S 22 + Γ s ( S11 Δ ) 2 Re(Γ s C1 )
2 2 2 2
3
4
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