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FET偏置电路。求问!

资料介绍
问题
一下的两种偏置电路:(可以word 放大200% 图会更清楚)
第一种:只是象征性的加上偏置电路所需的电压。
[pic]
第二种:用自给偏压,算出Rd,Rs 。本来栅极是要直接接到的,但是要和Term 1
相连测S参数。直接接地就短路了term1端口所以加了个R1。(我觉得可能不妥)
[pic]
管子静态工作点:Vds=2V,Id=10mA ,Vgs= -0.24V 。
我对第二个电路进行电压电流测量。Vds=2.26-0.236 =2.02V ,Ids=9.94mA
基本满足要求。

我现在头疼的问题:
用第二个自给偏置电路,测出来的S参数和管子子DATEsheet 里的差好远好远。
根本无法进行下一步的匹配设计。
(我用第一个电路已经完了LNA的主要工作,输入输出匹配什么的,但是回头在来做偏置
却问题很大)
有做过LNA,或仿过多级LNA的前辈请指点指点我吧!论坛或QQ。
QQ 378279127
2009.10.23
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FET偏置电路。求问!
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