射频宽带、低噪声单片放大器设计(免费)

射频宽带、低噪声单片放大器设计微　 波　 学　 报 第 21 卷增刊 Vol . 21 Supp lement 　　　　　　　　　　　　　JOURNAL OF M ICROWAVES　　　　　　　 　　　　　　 2005 年 4 月 　　Ap r . 2005

射频宽带 、 低噪声单片放大器设计
孟令琴 　 于文震 　 费元春
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( 1. 南京电子技术研究所 , 南京 210013; 2. 北京理工大学电子工程系 , 北京 100081)

摘　 要: 　 本文介绍一种宽带 、 低相位噪声射频集成放大器设计 ,采用负反馈频率补偿技术 , 通过优化设计反馈 网络电阻及电容值 ,有效地展宽了工作频带 ; 采用了封装电容做级间匹配电容 , 提高了电路模型精度增加了流片的 μm SiGe B iCMOS工艺上 可实现性 ; 通过级间匹配电容 ,有效地补偿了带内平坦度 。电路结构简单 ,性能优良 ,在 0. 8 实现的放大器 3dB 带宽 0 ～7. 5GHz,将广泛应用于光纤通信 、 软件无线电 、 雷达及通信一体化接收前端 。 关键词 : 　 负反馈 , 频率补偿技术 , 电路模型

A W ide2band and L ow2 no ise RF I C Am plif ier D esign
M ENG L i n g2q i n , Y U W en 2zhen, Fe i Y uan 2chu
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( 1. N an jing R esea rch Instisu te of E lectron ics Technology, N an jing 210013, Ch ina;

2. B eijing Instu tu te of Technology, B eijng 100081, Ch ina ) Abstract: 　 In the paper it is intr