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2_9GHz0_35μm CMOS低噪声放大器　

第 11 期 2001 年 11 月

电 　　 子 　　 学 　　 报
ACTA ELECTRONICA SINICA

Vol . 29 　 No. 11 　 Nov. 　 2001

μ 219 GHz 0135 m CMOS 低噪声放大器
陶　 蕤 ,王志功 ,谢婷婷 ,陈海涛
( 东南大学射频与光电集成电路研究所 ,江苏南京 210096)

　　 摘　 要: 　 随着特征尺寸的不断减小 , 深亚微米 CMOS 工艺其 MOSFET 的特征频率已经达到 50 GHz 以上 , 使得利 用 CMOS 工艺实现 GHz 频段的高频模拟集成电路成为可能 . 越来越多的射频工程师开始利用先进的 CMOS 工艺设计 射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0135 μ m CMOS 工艺实现的 219 GHz 单片低噪声放大器 . 放大器采用片内集成的螺 旋电感实现低噪声和单片集成 . 在 3 伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB. 关键词 : 　 CMOS 工艺 ; 低噪声放大器 ; 螺旋电感 中图分类号 : 　 TN722 　　　 文献标识码 : 　 A 　　　 文章编号 : 　 037222112 (2001) 1121530203

μ 219 GHz 0135 m CMO S Low Noise Amplifier
TAO Rui ,WANG Zhi2gong ,XIE Ting2ting ,CHEN Hai2tao
( Institute of RF2 & OE2ICs , Southeast University , Nanjing , Jiangsu 210096 , China)

Abstract : 　 With the scaling2down of the transistor gate2leng