资料介绍
CMOS集成电路设计CMOS射频集成电路设计
2007年10月12日 唐长文 助理研究员 zwtang@fudan.edu.cn
http://rfic.fudan.edu.cn/Courses.htm
复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室
版权 2005-2007, 版权所有，不得侵犯
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低噪声放大器的设计优化技术
MOS管噪声模型 z 经典二端口网络的噪声分析 z 窄带低噪声放大器的设计优化
z 经典二端口网络噪声匹配 噪声和阻抗同时匹配 有效跨导约束和功率约束的噪声匹配 功率约束的噪声和阻抗同时匹配(自学) z
宽带低噪声放大器的设计优化
噪声抵消技术
复旦大学
专用集成电路与系统国家重点实验室
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唐长文
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MOS管噪声模型(I)
z
电阻热噪声
电压噪声 电流噪声
2 vn Δf = 4kTR
2 in
2 vn
2 v 4kT 2 n Δf i n Δf = = = 4kTG 2 R R 多晶硅栅极电阻Rg
双端连接的多插指结构减小串联电阻 单端连接 双端连接
1 RsqW Rg = 2 3n L
复旦大学
1 RsqW Rg = 12n 2 L
唐长文
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专用集成电路与系统国家重点实验室
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MOS管噪声模型(II)
z
MOS管沟道噪声
热噪声 2 电流噪声 i nd Δf = 4kT γ g do
2 电压噪声 v nd
2 v nd 2 i nd
2 i nd Δf gm γ 1 Δf = = 4kT α= 2 g do α gm gm 2 K gm K 2 Δf = ≈ ωT A 2 f WLCox f
2 闪烁(1/f)噪声 i nd
2 背栅(
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