资料介绍
无 源 RFID 基础
无 源 RFID 基础
简介
射频识别(RFID)系统运用射频去识别,锁定,追踪人,货物,动物等.无源RFID系统由三
部分组成:阅读器,无源标签和主机.标签由环形天线和一个包括基本调制电路及非易失
存储模块的硅芯片组成.阅读器发出的时变电磁波(RF)为标签提供能量.此RF信号称为载
波.当环形天线有电磁场通过时,线圈中就有交流电压产生,交流电压经整流后,成为直流
,为芯片供给能量.当直流电压达到一定高度时,芯片就正常工作,存于其中的信息传会给
阅读器,这个过程叫后向散射.依靠后向散射的信号,芯片中信息就会被完全识别.
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据存储器分有两类RFID芯片:只读芯片和读写芯片.存储器由EEPROM或FRAM制成,EEP
ROM基于CMOS工艺,FRAM基于铁电体存储器工艺.由于CMOS工艺发展的很成熟,EEPROM芯片
较FRAM芯片成本低.
FRAM芯片消耗更少的能量.因此如果FRAM的制造成本降低到可以承受时,不失为将来RFI
D芯片很好的选择.
多年来由于无源RFID系统的简单,.它广泛应用于各种RF远程感应设施中.
近年来它的应用需求增长特别快.很多情况下,每个应用都有自己独特的波形因数,通
信协议,频率等.无源标签由阅读器的RF信号供给能量,它的功率很小(uW),因此读的范围
(阅读器和标签之间)常常很窄,它取决于设计的参数,像频率,RF功率水平,阅读器的接收
灵敏度,天线尺寸,通信协议,当今硅芯片的制造水平等.
过去RFID设备中多用低频(125kHz—400kHz),因为硅芯片易于实现.而当今,典型的载
频是125kHz—2.4GHz.
近几年,高频(4—10MHz)和微波(2.45GHz)应用随高性能硅芯片的出现增长很快.但每
一个波段都有自己的优缺点.高频波段
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