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手机研发流程

资料介绍
手机研发流程手机设计开发流程 手机 RF 原理 双频手机 RF 部分的设计 高频板布线要求

手机设计流程

一.手机原理 1 接收部分 天线开关为 FET 器件(双工器)是一个双刀掷模拟开关,其中一个刀进行收发信号切 换,另一个刀接测试口,其工作状态受开关管 T3,T4 组成的控制电路控制,控制指令为 RX―EN和 TX―EN。

当控制信号 RX―EN 为高电平时,天线开关处于接收状态,接收信号通过天线开关进 入陶瓷带通滤波器 BPF3,BPF2 进行高频滤波,然后再经过耦合电容 C103,C19,C109 送到 PMB6253 内进行低噪声放大,放大后的信号送入混频器, 高频放大器经过滤波后,与来自主压振荡器的接收本振信号 RXVCO 一起送入混频器 完成两信号的混频,混频后产生中频信号经耦合电容 C14,C87 通过 BPF1 将其中的杂波 滤除,再送到隔离放大器放大。 中频信号在收发 IC 内完成接收信号正交解调处理,完成解调处理后产生模拟接收基 带信号,RXI/RXQ 接收 I/Q 基带信号分别从 IC 的 8、9 脚输出。 在收发 IC、U1 内部,接收部分包括中频、中频放大、混频、PLL。13MHZ 主时钟、 主压器振荡器、接收中频和发射中频等。 手机高频原理方向图



发射部分 经 CPU 送出的 TX1、TXQ 分别送入收发 IC U1 以产生 TXIF 发射中频,发射中频输 入信号 TXIFIN 与 TXVCO 在 U1 内进行混频,鉴相,再产生振荡频率,预放大后从 U1, 28 脚输出,经耦合电容 C33 到功放 CX77301 4 脚,X3 为 TXVCO,功率控制 IC4 输出 误差电压以改变功放的放大量,达到改变发射信号的功率等级。 当控制信号 TX―EX 为高电平时,天线开关于发射状态。

新手机开发

GSM900/DCS1800 双频手机 R
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