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屏蔽盒对微带线特性的影响

资料介绍
屏蔽盒对微带线特性的影响屏蔽盒对微带线特性的影响
李超 阴和俊 李芳 李廉林 (中国科学院,lU子学研究所) 周斌

摘要

本文用计{域方法研究r屏蔽盒对微带线传撬特性和色散特性的影响.屏蔽龠的顶盖使微带线等效

介I乜常数变小,对色散特性影响不大;屏蔽盘的侧壁搜微带线等效介c乜常数变丈.井减小了微带线的也敝.

谱域方法介绍


如图1所示的屏蔽微带线,屏蔽盒的
(1)

高度为d,宽度为A(图中虚线所示为屏 蔽盒的金属侧壁),微带的介质厚度为h,


一_



金属导带的宽度为w。(1)区为真空,介 电常数为‰,(2)区的介电常数为sos,。


钐彩∥ 钐劢勿髫』
(图”屏蔽微带线横截面


电场E=EO,Y,z弦”,磁场H=aex,Y,z弦川满足方程组(下标i表示第i区域)







V:蛩∥一)+‘赣∥一)-o’

,^

,^

V2蛩,舻)+砰日(x,鬈’。o, V“蛩,J,,2)一_,掣。毁,y,力,
V×H(x,Y,z)=jcoEoc,_E(x,Y,z).
(I)式作二二维傅氏变换I’1:



首先不考虑屏蔽盒的侧壁,在(1)区和(2)区内部,由于x和Z方向均匀且无限延伸,对

÷芗(口,∥,J,)=f[:矿(工,Y,g)ej(“+辟)dxdz,

船'y,z)。嘉f£如,P,y矿脚剐删・
可以得到:

Ⅸ X × E(口,∥,Y)=E+(口,∥)‘?1’+E一(口,p)e“’,
H(a,∥,J,)=Ⅳ+(口,p)e一“’+H一(矾∥弘”.

其中T?=口2+∥2一七?。此式表明对于每一对@,∥).电场和磁场都可分解为沿Y轴的正
向波和负向波之和。作x.Z―>u-v坐标变换f2J: 蠡=sin碾+GOS诺.0=--COS碾+sin02

cos胙南,sinO=南
≈Ⅸl+pl 0Ql+p2

其中i,£,d,p分别是J,z,“,v四个方向的单位矢量・……
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