屏蔽盒对微带线特性的影响

屏蔽盒对微带线特性的影响屏蔽盒对微带线特性的影响
李超 阴和俊 李芳 李廉林 （中国科学院，ｌＵ子学研究所） 周斌

摘要

本文用计｛域方法研究ｒ屏蔽盒对微带线传撬特性和色散特性的影响．屏蔽龠的顶盖使微带线等效

介Ｉ乜常数变小，对色散特性影响不大；屏蔽盘的侧壁搜微带线等效介ｃ乜常数变丈．井减小了微带线的也敝．

谱域方法介绍
ｋ

如图１所示的屏蔽微带线，屏蔽盒的
（１）

高度为ｄ，宽度为Ａ（图中虚线所示为屏 蔽盒的金属侧壁），微带的介质厚度为ｈ，
ｈ

一＿

＾

金属导带的宽度为ｗ。（１）区为真空，介 电常数为‰，（２）区的介电常数为ｓｏｓ，。
Ｘ

钐彩∥ 钐劢勿髫』
（图”屏蔽微带线横截面
＾

电场Ｅ＝ＥＯ，Ｙ，ｚ弦”，磁场Ｈ＝ａｅｘ，Ｙ，ｚ弦川满足方程组（下标ｉ表示第ｉ区域）

＾

＾

＾

Ｖ：蛩∥一）＋‘赣∥一）－ｏ’

，＾

，＾

Ｖ２蛩，舻）＋砰日（ｘ，鬈’。ｏ， Ｖ“蛩，Ｊ，，２）一＿，掣。毁，ｙ，力，
Ｖ×Ｈ（ｘ，Ｙ，ｚ）＝ｊｃｏＥｏｃ，＿Ｅ（ｘ，Ｙ，ｚ）．
（Ｉ）式作二二维傅氏变换Ｉ’１：

…

首先不考虑屏蔽盒的侧壁，在（１）区和（２）区内部，由于ｘ和Ｚ方向均匀且无限延伸，对

÷芗（口，∥，Ｊ，）＝ｆ［：矿（工，Ｙ，ｇ）ｅｊ（“＋辟）ｄｘｄｚ，

船＇ｙ，ｚ）。嘉ｆ￡如，Ｐ，ｙ矿脚剐删・
可以得到：

Ⅸ Ｘ × Ｅ（口，∥，Ｙ）＝Ｅ＋（口，∥）‘？１’＋Ｅ一（口，ｐ）ｅ“’，
Ｈ（ａ，∥，Ｊ，）＝Ⅳ＋（口，ｐ）ｅ一“’＋Ｈ一（矾∥弘”．

其中Ｔ？＝口２＋∥２一七？。此式表明对于每一对＠，∥）．电场和磁场都可分解为沿Ｙ轴的正
向波和负向波之和。作ｘ．Ｚ―＞ｕ－ｖ坐标变换ｆ２Ｊ： 蠡＝ｓｉｎ碾＋ＧＯＳ诺．０＝－－ＣＯＳ碾＋ｓｉｎ０２

ｃｏｓ胙南，ｓｉｎＯ＝南
≈Ⅸｌ＋ｐｌ ０Ｑｌ＋ｐ２

其中ｉ，￡，ｄ，ｐ分别是Ｊ，ｚ，“，ｖ四个方向的单位矢量・