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晶振(来个免费的)

资料介绍
无源器件之晶振
无源器件之晶振
晶振设计是单片机应用设计的重要环节之一,因此很有必要了解晶振电路的特点,组成
以及如何选用相关电子元件。
PIC单片机有四种振荡方式可供选择,振荡方式经配置寄存器CONFIG的F0SC1,F0SC0位加
以选择,并在EPROM编程时写入。 晶体振荡器/陶瓷振荡器:
XT、LP、HS三种方式中,需一晶体或陶瓷谐振器连接到单片机的OSC1/CLKIN和OSC2/CLK
OUT引脚上,以建立振荡,如图1所示。电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡
下,电阻RF≈10MΩ。对于32KHZ以上的晶体振荡器,当VDD>4.5V时,建议C1=C2≈30PF。(
C1:相位调节电容; C2:增益调节电容。) 外部晶体振荡器电路:
PIC芯片可以使用已集成在片内的振荡器,亦可使用由TTL门电路构成的简单振荡器电路
。当外接振荡器时,外部振荡信号)仅限于HS。XT。LP)从OSC1端输入,OSC2端开路。
图2所示的是典型的外部并行谐振振荡电路,应用晶体的基频来设计。74AS04反相器以
来实现振荡器所需的180°相移,4.7KΩ的电阻用来提供负反馈给反相器,10KΩ的电位器用
来提供偏压,从而使反相器74AS04工作在线性范围内。
图3所示的是典型的外部串行谐振振荡电路,亦应用晶体的基频来设计。74AS04反相器用
来提供振荡器所需的180°相移, 330Ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。
RC振荡:
RC振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。RC振荡频率随着电源电压VDD,RC值及
工作环境温度的变化而变化。同时由于工艺参数的差异,对不同芯片其振荡器频率将不
同。另外,当外接电容CEXT值较小时,对振荡器频率的影响更大,当然,我们也应考虑
电阻电容本身的容差对振荡器
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