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NAND和NOR flash详解

资料介绍
NAND和NOR flash详解
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统
天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND
flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口
轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

  相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NA
ND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因
为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高
数据存储密度的理想解决方案。
  NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In
Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除
速度大大影响了它的性能。
  NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也
很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要
特殊的系统接口。

性能比较
  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何
flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元
内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除
操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前
先要将目标块内所有的位都写为0。
  由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5
s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进
行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性……
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