NAND FLAHSD 读写 过程

nor flash 读写过程
一、结构分析
S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司
的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为51
2Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文
以S3C2410处理器和k9f1208系统为例，讲述NandFlash的读写方法。
NandFlash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的，一般来说，一个cell
中只能存储一个bit，这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit
line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line
组成Page， page 再组织形成一个Block。k9f1208的相关数据如下：
1block=32page；1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)。
总容量为=4096（block数量）*32（page/block）*512(byte/page)=64Mbyte
NandFlash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照k9f1208的组织方式可以
分四类地址： Column Address、halfpage pointer、Page Address 、Block
Address。A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。
Column Address表示数据在半页中的地址，大小范围0~255，用A[0:7]表示；
halfpage
pointer表示半页在整页中的位置，即在0~255空间还是在256~511空间，用A[8]表示；
Page Address表示页在块中的地址，大小范围0~31，用A[13