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Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM介绍

资料介绍
嵌入式系统中Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM介绍

第一章 存储器
概述
存储器通常分为两类型,即随机存取的RAM与只读的ROM。随着存储器技术的发展和嵌
入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来,本章就目前广泛应用于嵌入式
系统中的新一代存储器Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM的基础知识进行介绍。
Flash
Memory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种,但目前以NAND和N
OR为主流。NOR技术是由Intel公司1988年首先推出,NAND技术是由东芝公司1989年发明
。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用,NOR则是为了满足程序代码的高速访问,并
且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈,各种观点很多
。客观来看,二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高;
而NAND则写回速度快、芯片面积小,特别是容量大有很大优势
由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异,二者的寻址方式差异较大。NAND的地址分
为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问,NAND一般是经过三次寻址,先
后确定块号、块内页号和页内字节号,至少占用三个时钟周期,因此随机字节读写速度
慢。而NOR的地址线足够多,且存储单元是并列排布,可以实现一次性的直接寻址。另外
,由于NOR的数据线宽度很大,即使容量增大,它的数据寻址时间基本上是一个常量,而
NAND则比较困难。总之在数据传输速度上,NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都
比NAND快,但相对而言,在连续大数据传输速度上,二者差异较小。从产品成本来看,
NOR Flash的平均每MB成本是NAND
Flash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异,导致NOR……
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