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可控硅dIT/dt测试线路的设计与测量

资料介绍
摘要:dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要参数,过高的dIT/dt可能会导致可控硅损坏或失效,故设计一个能准确测量此参数的低成本线路显得尤为关键。本文设计了一个简洁的测量可控硅dIT/dt的测试电路,并介绍了它的测试原理与测试方法,且测量了市场上的BTA208-600B,得出了测试结果,与该产品说明书的值一致。可应用于研发可控硅的企事业单位和研究所测试可控硅。
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标签:可控硅dITdt
可控硅dIT/dt测试线路的设计与测量
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