圆片级噪声的一种新测量方法

本文提出了一种新的可靠的圆片级1/f噪声测量方法和架构
圆片级 1/f 噪声的一种新测量方法

北京大学微电子学院，北京，100871，中国
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吉时利仪器公司，Aurora 路 28775，克里夫兰，俄亥俄州，44139，美国
应用研发部， 吉时利仪器公司，北京海淀区北太平庄路城建大厦 A1301， 100088，
中国
摘要
本文提出了一种新的可靠的圆片级 1/f 噪声测量方法和架构。所
提出的测试架构采用了吉时利的系列仪器， 包括 4200-SCS、428 和一
个低通滤波器。其中采用了吉时利的自动特征分析套件（ACS）软件
来控制测量仪器的操作，采集/分析测得的数据。由于所用的低通滤
波器能够消除所有高于 0.5 Hz 的高频噪声，因此大大提高了 1/f 噪声
的测量精度。利用这一测量架构能够在各种偏压条件下评测具有不同
尺寸的 NMOS 和 PMOS 器件的 1/f 噪声特征。

1. 引言
MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用。但是，MOSFET中的低频
噪声，尤其是较高频率的1/f噪声，是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素。
此外，随着器件特征尺寸的缩小，1/f噪声会大大增加[参考文献1]。因此，在测
量1/f噪声时设计一套可靠的、可重复的、精确的测量方法和系统是非常