MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

简介
当今多种MOSFET技术和硅片制程并存，而且技术进
步日新月异。要根据MOSFET的电压/ 电流或管芯尺
寸，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进
行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。
与任何设计决策一样，在为您设计中的MOSFET选择
合适的MOSFET驱动器时，需要考虑几个变量。需要
考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态
电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影
响着封装的决定和驱动器的选择。
本应用笔记将详细讨论与MOSFET栅极电荷和工作频
率相关的MOSFET驱动器功耗。还将讨论如何根据
MOSFET所需的导通和截止时间将MOSFET驱动器的
电流驱动能力与MOSFET栅极电荷相匹配。
Microchip提供许多不同种类的MOSFET驱动器，它们
采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的MOS-FET 选择最合适的MOSFET驱动器。
AN799
MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计
2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功
作者： Jamie Dunn
耗。
Microchip Technology Inc.
公式 2：
简介
当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进 P Q = ( I QH × D + I QL × (1 - D ) ) × V DD
步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺
寸，对如何将 MOSFET 驱动器与 MOSFET 进行匹配进 其中：
行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。 IQH = 驱动器输入为高电平状态
与任何设计决策一样，在为您设计中的 MOSFET 选择 的静态电流
合适的 MOSFET 驱动器时，需要考虑几个变量。需要 D = 开关波形的占空比去
考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态 IQL = 驱动器输入为低电平状态
电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影