3D工艺再次引发半导体业发展模式之争

3D工艺再次引发半导体业发展模式之争

3D工艺再次引发半导体业发展模式之争
2012年4月23日，英特尔宣布采用3D三栅极晶体管设计，最小线宽为22纳米的Ivy
Bridge微处理器量产成功，并于4月29日开始全球销售。

　　据公布的资料显示，该系列CPU拥有14亿只晶体管，芯片面积仅为25毫米×25毫米，
由于首次采用了3D三栅级晶体管工艺技术，使芯片能够在更低的电压下运行，并进一步
减少了晶体管的漏电流，与之前的32纳米中2D晶体管CPU相比，在低电压工作模式下开关
速度提高了37%，功耗降低50%，比采用22纳米平面晶体管的同类CPU功耗降低了19%。


　　这确实是一项新的大跨度技术进步，标志着Intel公司不愧是世界半导体制造技术的
领头者。自2011年5月4日英特尔公司正式公布将用3D三栅级晶体管设计技术进行Ivy
Bridge微处理器量产计划以来，到此次Ivy
Bridge微处理器产品的正式批量上市，其经历了近一年的时间。
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　为什么“3D”前还要再加上“三栅级（Tri-
Gate）”晶体管这一称谓呢？这正是本次工艺改进的关键之处。相对于以往的平面型晶体
管模型结构工作方式，本次变革主要体现在由以往的仅在底部区域的“1”个平面形“栅极
”，发展成了立体结构的“3”个平面形状的“栅极”，控制电流同时从该立方体形状的栅极
3个面（两侧和顶部）同时对晶体管的源极和漏极的通断电流进行控制，所以称为“三栅
极”晶体管。这样的“三栅极”结构形状就像一本书，原来是“平躺着放置的”，现在变成了
“立起来放置”。与以往平放的“1个面”的栅极晶体管相比，既节省了芯片面积，也减少了
晶体管的漏电流，提高了开关速度。从而极大地提高了CPU的性能，降低了功耗，提高了
单位面积上的集成度。


　　3D工艺众说纷纭　


　　英特尔：Fabless模式或到穷途末路　


　　4月26日英特尔