面向 3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术

面向 3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术
面向 3G 基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称 Doherty 技术

作者：飞思卡尔 Jean-Jacques BOUNY 地址：Freescale Semiconductor, 134 av. Eisenhower, B.P.72329,
31023 Toulouse Cedex 1, France


摘要 ― 随着 Doherty 放大器已经成功地广泛部署到蜂窝电话基站中，因此现在我们应考虑如何使用特定
的专用器件提高整个放大器的性能并缩减成本。 我们将在文中介绍由飞思卡尔半导体开发的一组专用
LDMOS 晶体管。该产品将用于非对称 Doherty 拓扑，在这个拓扑中，载流子（主）晶体管包括一个综合
AB 类偏置，而峰化（从）晶体管则包括一个综合 C 类偏置。 两种晶体管采用相同封装，但输出功率有
1dB 的差异，以提高 Doherty 的整体效率，并构建 56dBm (400W)峰值功率放大器。 文中还将介绍支持
CW 和 3G 信号的整个 Doherty 放大器的设计和测量，显示该解决方案相对于使用经典 “AB 类优化 ”晶体
管的常规对称 Doherty 放大器的优势。


术语索引 ―3G， Doherty， 功率放大器，偏置


I. 介绍

常规对称 Doherty [1]放大器现已在蜂窝基站中广泛使用。设备生产商采用最初为 AB 类准线性应用设计的
常规器件，证明了这些解决方案的可行性和线性化特征。下一步将是改进解决方案。现在设备生产商应当
提供专用组件，以提高性能，改善“使用的便利性”，降低放大器级的成本。


飞思卡尔半导体针对 2.11GHz-2.17GHz 频段的 3G 市场的方案是，提供包含 2 个专用 LDMOS [2]器件的
芯片集，