首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 消费类电子 > MC9S08MG64实时时钟的校准和补偿

MC9S08MG64实时时钟的校准和补偿

资料介绍
MC9S08MG64实时时钟的校准和补偿
MC9S08MG64 实时时钟的校准和补偿

内容简介

MC9S08MG64 是飞思卡尔半导体针对国网单相电表推出的一款半 SoC 芯片,它集成了片上液晶驱动器和
实时时钟模块,以及多种通讯接口。用于智能电表设计时,配合外部电能计量芯片,即可完成性价比良好
的单相电表设计。此单片机内部集成的实时时钟模块(iRTC) 具有时间保持和日历功能。对由晶体本身的频
偏及温度漂移引起的误差,可以利用实时时钟本身的补偿功能进行修正。本文讨论如何对实时时钟进行校
准和补偿,以达到国网要求的标准(误差小于 5ppm )。


晶体的特性

1.1 负载电容的影响


一般说来晶体的振荡频率是很稳定的,但我们也知道晶体的振荡频率受负载电容和温度变化的影响。如下
图所示的例子为一个负载电容为 12.5pF 的晶体,当负载电容变化时其振荡频率偏差的随动特性




振荡电路匹配电容的离散性和温度漂移,电路板的分布电容都会对振荡频率造成影响。对于
MC9S08MG64 ,使用 32.768kHz 晶体时其振荡器可以有两种配置。当使用低功耗模式 (R ANG = 0, HGO =
0)时,负载电容、反馈电阻、和串行电阻已经集成在单片机内部了,外面只需加晶体即可。这种配置的功
耗比较低,且可以抵消上述误差因素的影响。当使用高增益模式 (RANG = 0 ,HGO = 1)时,外部要加负载
电容、反馈和串行电阻。这种配置的抗干扰能力比较强,但外部元器件对振荡频率的精确性存在影响。对
于负载电容引起的频率漂移,我们可以通过选用温漂系数小的电容(如 COG 电容)来减小其影响。


1.2 温漂
上图是音叉型的晶体振荡频率随温度变化的曲线,它可以用抛物线方程描述为:
Fdev = B (T - TQ) 2 + K


其中:




由以上分析可见,对于一个晶体振荡电路,影响其振荡频率误差的因……
MC9S08MG64实时时钟的校准和补偿
本地下载

评论