【技术应用笔记】走近IBIS模型：什么是IBIS模型？它们是如何生成的？

简介
在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。在原
型制作之前，系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。
在高速系统设计中正是如此，进行信号完整性仿真来分析
不同条件下传输线中的电路行为，在设计初期就能预防并
检测出典型的问题，例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。然
而，可用的数字IC模型非常少。当半导体厂商被索要
SPICE模型时，他们并不愿意提供，因为这些模型会包含
有专有工艺和电路信息。
这个问题已经通过采用IBIS模型来 (输入/输出缓冲器信息
规范)解决，IBIS也被称为ANSI/EIA-656，这是一个建模的
新标准，在系统设计人员中越来越流行。
什么是IBIS？
IBIS是一个行为模型，通过V/I和V/T数据描述器件数字输
入和输出的电气特性，不会透露任何专有信息。IBIS模型
与系统设计人员对传统模型的理解不同，例如其它模型中
的原理图符号或多项式表达式。IBIS模型包括由输出和输
入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转
换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。这些汇总的
数据代表了器件的行为。
AN-715
应用笔记
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走近IBIS模型：什么是IBIS模型？它们是如何生成的？
作者：Mercedes Casamayor


简介 IBIS是一种精确的模型，因为它考虑了I/O结构的非线性，
在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。在原 ESD结构和封装寄生效应。它相对于其它传统模型(例如
型制作之前，系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。 SPICE)有几项优势。例如，仿真时间最多可缩短 25倍，
在高速系统设计中正是如此，进行信号完