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NAND 闪存接口

资料介绍
本文档详细介绍怎样在Altera® MAX®II CPLD中实现NAND闪存接
口。本设计可以采用Samsung或者AMD NAND闪存来实现。
利用 MAX II CPLD 实现
NAND 闪存接口

2007 年 12 月, 1.0 版 应用笔记 500



引言 本文档详细介绍怎样在 Altera MAX II CPLD 中实现 NAND 闪存接
口。本设计可以采用 Samsung 或者 AMD NAND 闪存来实现。



闪存 闪存是非易失半导体存储器,可以编程并能够重新编程。它将信息存储在
单元阵列中,每个单元存储一个比特的信息。单元采用了双逻辑门结构,
控制逻辑门和 MOSFET 硅基底之间是浮动逻辑门。采用了二氧化硅绝缘
体来隔离浮动逻辑门。这就是闪存的基本存储机制。

NOR 闪存和 NAND 闪存是两种类型的闪存。 NOR 闪存支持随机访问,
而 NAND 闪存是顺序访问器件。这两类闪存的接口有很大不同。 NOR
闪存采用了专用地址线和数据线,而 NAND 闪存没有专用地址线。

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标签:NAND闪存MAX®IICPLD
NAND 闪存接口
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