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单片机的扩展RAM读写时序

资料介绍
单片机的扩展RAM读写时序
单片机的扩展 RAM 读写时序(示波器图)
作者:shisifeiya
吴厚航同学在他的一篇博文提到了其测得单片机 (11.0592MHz 的 STC89C52)
的扩展 RAM
读写时序如下图:




使用了如下程序:
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar xdata LD _at_ 0x7fff;
void delay(uint cnt)
{ uint i;
for(i=0;i }
void main(void)
{ uchar i;
delay(1000);
while(1)
{LD = 0x00;
LD = 0xf0;
LD = 0x73;
// i = LD;
delay(1000);
LD = 0xff;
delay(1000);
}
}
他还总结了: “第一次 LD 读操作需要 5 个指令周期外(1.085us*5),以后每次 LD 读操
作都只要 3 个指令周期(1.085*3) 。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图
也可以知道 CS……
标签:时序ARM
单片机的扩展RAM读写时序
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