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晶振选取与计算

资料介绍
晶振选取与计算

今天要做晶振的second source,把晶振焊上去后发现普遍比较低,要求是25M +/-
20ppm,就是说偏差不超过500Hz,但是测量三片,只有一片合格,其他两片均偏小几百
赫兹。查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系:

Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);

而 CL =
Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容,Cg和Cd为我们外部加的两个电容,通常大家取值
相等,它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.

具体公式不用细想,我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大,

我们可以改变的只有Cg和Cd,通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。

原有电路使用的是33pF的两个电容,则并联起来是16.5pF,我们的贴片电容只有27pF,3
3pF,39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联(我认为是串联,串联电容等效并联电阻)
,则电容为15.95pF。电容焊好后,测量比原来大了200多赫兹,落在了设计范围内。

结论:晶振电路上的两个电容可以不相等,通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率
,不过如果你测了几片晶振,频率有大有小,而且偏移较大,那么这个晶振就是不合格
的。


zongjie:


这篇就是说我们加的两个电容不仅可以用来调起振(通过改变C1\C2),还可以通过调节
C1\C2串联后的电容值来微调晶振频率
选择晶体的时候有三个参数最重要(标称频率、需求负载电容、容差)
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