mos驱动器与mos的匹配设计

mos驱动器与mos的匹配设计
AN799
MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计
2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功
作者： Jamie Dunn
耗。
Microchip Technology Inc.
公式 2：
简介
当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进 P Q = ( I QH × D + I QL × (1 - D ) ) × V DD
步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺
寸，对如何将 MOSFET 驱动器与 MOSFET 进行匹配进 其中：
行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。 IQH = 驱动器输入为高电平状态
与任何设计决策一样，在为您设计中的 MOSFET 选择 的静态电流
合适的 MOSFET 驱动器时，需要考虑几个变量。需要 D = 开关波形的占空比去
考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态 IQL = 驱动器输入为低电平状态
电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影