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应用笔记，版本2.0，2010年5月
为同步整流选择最优化的MOSFET
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1. 引言
电源转换器的封装密度日益提高和节能标准越来越严格，要求不断提高电源级的能效。
隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗，因此，只有
利用同步整流（SR）才可能达到这些标准要求的能效水平。用MOSFET替代二极管引发了
新的挑战——优化系统能效和控制电压过冲。本应用笔记介绍了通过利用英飞凌OptiMOS™
3解决方案的优化表（适用于30 V、40 V、60 V、75 V、80 V、100 V、120 V和150
V等应用）帮助选择最佳MOSFET的方法。
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图1. 二极管整流与同步整流之比较
2. 同步整流基础知识
要选择最优的MOSFET来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。首先，必
须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。导通损耗取决于MOSFET
的RDS(on)和内部体二极管的正向电压VSD。随着输出电流的提高，导通损耗（RDS(on)损
耗）也会相应地增加。为确保两个SR
MOSFET之间互锁，以避免出现直通电流，必须实现一定的死区时间。因此，在开启一次
侧之前，必须关断相应的MOSFET。由于该MOSFET正在导通全部续流电流，因此，这些电
流将不得不从MOSFET沟道转而流向内部的体二极管，并由此产生额外的体二极管损耗。
体二极管的导通时间很短，仅为50 ns至100
ns左右，因而，当输出电压比体二极管的正向电压高得多时，这些损耗可以忽略不计。
取决于电源转换器的开关频率和输出负载，开关损耗对MOSFET的总功耗有很大影响。MO
SFET开启时，必须对栅极进行充电，以产生栅极电荷Qg。MOSFET关断时，则必须将栅极
中的电荷放电至源极
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