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半导体简化直接变频设计

资料介绍
半导体简化直接变频设计
(Eb/No)和其他噪声贡献余量。3G LTE标准要求至少 60dB的总

半导体简化直接变频设计 镜像抑制性能。此外,在指定解调器本振(LO)相位噪声时,还
必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪
声会对附近的未滤波阻塞进行调制,向所需通道中增加
随着半导体工艺的不断进步,集成电路得以具备无线基础设施直接变
Pblocker_dBm - LO_Noise dBc/Hz噪声。
频接收机所需的性能,能够满足多模式通信系统的需求。
直接变频信号链(图 1)可以为 3G和 4G系统提供低成本的接
作者:Cecile Masse
收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂,并且无需实中频
直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 采样架构中使用的多个表面声波(SAW……
标签:ADI变频
半导体简化直接变频设计
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