资料介绍
1. 了解PN结的形成原理，掌握PN结、二极管的特性（单向导电、电流方程、特性曲线、温度特性、电容特性、击穿特性等）以及直流电阻与交流电阻的概念，稳压管的稳压原理。
2. 掌握BJT的结构、工作原理、各极电流关系、四种工作状态、三种组态、CE接法的特性曲线及主要参数。特别注意基区宽度调制效应及温度特性；会判断BJT工作在哪个区。
3. 掌握MOS管的结构、特点、工作原理、特性曲线。注意：
（1）N沟道、P沟道，增强型、耗尽型MOS管的特性曲线不同，偏压极性也不同(习题1.5.1 )。
（2）沟道长度调制效应和衬底调制效应的影响。
（3）饱和区电流表达式。
4. 了解JFET的结构、工作原理、特性曲线。 注意JFET是耗尽型器件，但栅压为单极性。
5. 了解集成元器件的主要特点。
6. 了解模型的基本概念及BJT的EM1、EM2 模型的形式、电流方程。
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1.5 场效应晶体管(FET)
概述
1. 电极
2. 特点
3. 类型
1.5.1绝缘栅MOS场效应管
1.5.1.1 N沟道增强型MOS FET
1. 结构与电路符号
2. 工作原理
( 原理电路
( 偏压vGS ( 0 ，vDS (0
（1）vGS对iD的控制作用
( vGS= 0
( 0 ( vGS (VGS(th)
( vGS =VGS(th)
( vGS控制沟道电阻，控制iD
(转移特性f (vGS)
（2）(DS对iD的控制作用
( vGS (VGS(th)且不变（开启）
((DS = 0：
(0( vDS ((GS －VGS(th)：
( vDS =(GS－VGS(th)：“预夹断”
( vDS ((GS－VGS(th) ：
(击穿现象
3. N沟道增强型MOS管的特性曲线
（1）输出特性
(定义: iD =f((DS)((GS=常数
(输出特性曲线
(预夹断线方程
(DS =(GS－VGS(th) 或(GD = VGS(th)
( 截止区
(条件：(GS ( VGS(th)
(特点：iD ( 0(无沟道)
( 可变电阻区
(条件: (GS
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