首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 模拟IC/电源 > 提高IR2151和IR2152在镇流器应用中的抗锁定能力

提高IR2151和IR2152在镇流器应用中的抗锁定能力

资料介绍
提高IR2151和IR2152在镇流器应用中的抗锁定能力
DT94-9
________________________________________________________________________________________________




设计指南


提高 IR2151 和 IR2152 在镇流器应用中的抗锁定能力



IR2151 和 IR2152 是按照电子灯镇流器的要求设计的高压控制集成电路。这些器件包括
类似于流行的 CMOS555 定时电路的振荡器和高压半桥 MOS 门极驱动电路。其它功能有控
制 IC 和灯的启动,给高端和低端的门极驱动输出提供 1.2s 的死区时间。IR2151 和 IR2152
的不同点仅在它们的振荡器输出到门极驱动输出的相位关系上。


图 1 所示是用 IR2151 作为镇流器控制核心的典型电子灯镇流器电路。半桥输出的振荡
频率由定时元件 RT 和 CT 决定(占空比为 50%)。当高压经 R1 向 IC 供电端的去耦电容 C1
充电,电压上升到大于芯片的欠压锁定保持值时能够自启动。灯丝的预热是由初始值较低的
正温系数电阻 R3 完成,当这个电阻温度上升时,启动电容 C4 两端的电压会上升,直到灯
管两端有足够的电压使它击穿。一旦灯管被击穿,则它的光束电流由半桥输出的频率、直流
总线电压和串联谐振负载、滤波电容 C3 和 L2 的值共同控制。


标签:IRIR2151IR2152
提高IR2151和IR2152在镇流器应用中的抗锁定能力
本地下载

评论