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PN结的形成

资料介绍
模拟电路

PN结的形成
PN结的形成
一、PN结的形成
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半
导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的基
础。
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴
很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样,电子和空穴都
要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是,有一些电子要从N型区向P型区扩散,也
有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负
电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意
移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个很
薄的空间电荷区,就是所谓的PN结。空间电荷区有时又称为耗尽区。扩散越强,空间电
荷区越宽。
在出现了空间电荷区以后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区就形成了一
个内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子
扩散运动的方向相反,它是阻止扩散的。
另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子
向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了
原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去
的电子,这就使空间电荷减少,因此,漂移运动的结果是使空……
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PN结的形成
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