资料介绍
模拟电路
结型场效应管
4.1 结型场效应管
4.1.1 结型场效应管的结构与工作原理
一、结型场效应管的结构
如图1(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两
个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在
N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b
、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（
简称沟道）。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管，它在电路中用图1(b)所示的符号
表示，栅极上的箭头表示栅-
源极间的P+N结正向偏置时，栅极电流的方向（由P区指向N区）。
N沟道JFET的结构剖面图
[pic]图2
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的
结型场效应管。图2给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。
由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
二、工作原理
N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分
析其工作原理。
N沟道结型场效应管工作时，需要外加如图1所示的偏置电压（鼠标单击图1中“结型场
效应管的工
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