资料介绍
模拟电路
金属-氧化物-半导体场效应管
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管
结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是
不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN
结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-
半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅
极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一
个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别
是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-
源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电
流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。
4.3.1 N沟道增强型场效应管
一、结构
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a) N沟道增强型MOS管结构示意图
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(b) N沟道增强型MOS管代表符号 (c) P沟道增强型MOS管代表符号
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区
，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d
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