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金属-氧化物-半导体场效应管

资料介绍
模拟电路

金属-氧化物-半导体场效应管
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管
结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是
不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN
结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-
半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅
极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一
个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的区别
是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-
源极之间没有导电沟道存在,即使加上电压vDS(在一定的数值范围内),也没有漏极电
流产生(iD=0)。而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏-源极间就有导电沟道存在。
4.3.1 N沟道增强型场效应管
一、结构
[pic]
a) N沟道增强型MOS管结构示意图
[pic][pic]
(b) N沟道增强型MOS管代表符号    (c) P沟道增强型MOS管代表符号
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区
,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d……
金属-氧化物-半导体场效应管
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