资料介绍
模拟电路
三极管的结构
三极管的内部结构为两个PN结，由三层半导体区形成的。
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三极管的结构特点：
(1) 基区很薄，且掺杂浓度低；(2)
发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多；(3) 集电结的面积比发射结大。
三极管内部结构
导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半
导体如图5-1（a）所示。由图5-
1（a）可见，这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成
三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极
和集电极，用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基
区和集电区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。
三极管通常也称双极型晶体管（BJT），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母
T来表示。因三极管内部的两个PN结相互影响，使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放
大的功能，开拓了PN结应用的新领域，促进了电子技术的发展。
因图5-
1（a）所示三极管的三个区分别由NPN型半导体材料组成，所以，这种结构的三极管称为
NPN型三极管，图5-
1（b）是NPN型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向
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