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什么是江崎二极管（Tunnel Diode）
发布日期：2008-8-23 23:52:29 文章来源：搜电 浏览次数： [pic]60
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江崎二极管（Tunnel Diode）
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其
P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力
学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间
电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同
一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（
IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低
噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开
关电路中。
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