资料介绍
电子百科
什么是缺陷中心（defect center）
发布日期：2008-9-8 13:20:47 文章来源：搜电 浏览次数： [pic]45
[pic][pic][pic]
缺陷中心（defect
center）是个总称，在能带上看来，会类似杂质在禁止带上有一对应的能阶产生。关于
晶格中的缺陷，请参看【晶体中的缺陷】一文。
缺陷中心以其所带电性而言，可分为：
受体型〈acceptor-type〉：被填满时带负电，空着时呈中性。
施体型〈donor-type〉：被填满时呈中性，空着时带正电。
若以其捕捉载子的方式来分类，可分为：
陷阱中心〈trapping
center〉：此类缺陷中心在捕捉载子后，会很快地将载子再度释放到原来的能带中。
复合中心〈recombination
center〉：此类缺陷中心在捕捉载子后，会再捕捉极性相反的载子，使与之复合，即有
电子电洞对消失的现象产生。
缺陷中心存在的多寡，关系到载子带间转移机率的高低及载子存活时间的长短。
我要上传