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半导体型号命名方法

资料介绍
基础知识

半导体型号命名方法

一、 中国半导体器件型号命名方法
        
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件
的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-
N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-
PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-
稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-
开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-
低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-
半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
       
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的
符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-
光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-
二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-
具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-
表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半
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