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薄膜混合集成电路

资料介绍
基础知识

薄膜混合集成电路
发布日期:2008-7-27 16:57:55 文章来源:搜电 浏览次数: [pic]45
[pic][pic][pic]薄膜混合集成电路

thin film hybrid integrated circuit
  在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型
元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元件、器件,可以是微型元
件、半导体芯片或单片集成电路。
  按无源网路中元件参数的集中和分布情况,薄膜集成电路分为集中参数和分布参数
两种。前者适用范围从低频到微波波段,后者只适用于微波波段。
  特点与应用
 与厚膜混合集成电路相比较,薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、
温度频率特性好,可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设
备比较昂贵、生产成本较高。
  薄膜混合集成电路适用于各种电路,特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。
与其他集成电路相比,它更适合于微波电路。
  主要工艺
 薄膜混合集成电路所用基片有多种,最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷
基片,有时也用蓝宝石和单晶硅基片。为了实现紧密组装和自动化生产,一般使用标准基
片。
  在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用
阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中,最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工
艺都是在真空室中进行的,所以统称为真空成膜法。用这两种方法,可以制造无源网路
中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜,并能调整电阻
膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时,用电镀法增加薄膜微带线的厚度,以
减少功耗。
  薄膜材料
 在薄膜电路中主要有四种薄膜:导电、电阻、介质和绝缘薄膜……
薄膜混合集成电路
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