资料介绍
测试测量技术
From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比较
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝
公司发表了NAND
flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升
级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“fl
ash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术
相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR
闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行
(XIP, eXecute In
Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NO
R的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速
度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且
写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何fla
sh器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操
作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除
前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除
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