资料介绍
测试测量技术
NAND FLASH在储存测试系统中的应用
0 引言
计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至
不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI
、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管理等崭新的领域，更给计算机技术和网
络技术赋予了蓬勃的生命力。存数性能的提升通常是通过在基础结构上增加更多的物理
磁盘驱动数目或者采用更快转速的磁盘驱动器来完成。
机载存储设备要求具有高的可靠性和高抗撞击、抗震、防潮、耐高压和承受高温的
特点，而磁盘驱动器存取数据时有机械转动，其抗冲击，抗震动性不强，所以不适用于
航空航天等恶劣环境下使用。基于半导体存储芯片闪存的固态存储器(SSD)的出现很好的
解决了以上问题。SSD作为储存介质，没有机械转动部件、存储密度高、可靠性高、体积
小、重量轻，并且抗震动、抗冲击、温度适应范围宽，具有很强的环境适应性，可以满
足苛刻条件下的数据储存要求，因此，高性能大容量固态存储器已成为军用重大项目中
的只要数据储存方式。
1 NAND FLASH Memory的控制要求
1．1 NAND FLASI-1存储器结构功能介绍
我们选用的是三星公司的K9K8G08UOM型FLASH芯片作为存储系统的介质，该款NAND
F1ash存储容量为8448Mbit，其中主数据区为8192M
bit，辅助数据区为256Mbit，工作电压为2．7V~3．6V，I／O端口的宽度为8位。NAND
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