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缓存/存储技术
Flash ROM编程实例设计
发布日期：2009-3-18 20:21:02 文章来源：搜电 浏览次数： [pic]114
[pic][pic][pic] Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:
i28F320B: 64*64K,64个blocks,4M空间,每个block
64K,第一个64K由8个8*8K小blocks组成.每个Black可以被独立擦写(寿命周期)
100,000次以上
Flash操作的大概步骤:
flash读写操作中,读应该很简单,和RAM一样,写就复杂一点.
Intel TE28F320C3的flash是4M空间
flash空间,划分成许多的block,Intel
TE28F320C3的flash是4M空间,64个block,每个block由64K.
要对所有的block单独进行操作, 每个操作结束,都需要判断状态,
每个block操作的大概步骤如下:
1.unlock
2.erase
3.check empty
所有的block完成上述操作,且状态正确,才能进行下一步,写
4.write
ARM汇编程序
LDR r2, =FlashBase ;Flash起始地址
//第一步,UNLOCK的64个block,步骤和上边一样
MOV r1,#63 ;63x64k block 计数
01 LDRB r3
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