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DDR1&2&3的“读”和“写”眼图分析
发布日期：2009-3-6 22:51:48 文章来源：搜电 浏览次数： [pic]117
[pic][pic][pic]DDR 1&2&3总线概览
DDR全名为Double Data Rate SDRAM ，简称为DDR。现在DDR技术已经发展到了DDR
3，理论上速度可以支持到1600MT/s。DDR总线走线数量多，速度快，操作复杂，探测困
难，给测试和分析带来了巨大的挑战。
DDR
本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟的上升沿和下降沿
读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，
仍在时钟上升沿进行数据判断。
目前，许多计算机使用时钟频率为533MHz的DDR2内存,更先进的DDR2内存正在日益普及，
它的时钟频率在400 MHz-800 MHz之间，新的DDR3内存的时钟频率则可以工作在800MHz-
16OOMHz之间。DDR3内存芯片还有另外一个长处：更低的能耗，它的运行电压是1.5伏，
低于DDR2内存芯片的1.8伏和DDR1内存芯片的2.5伏。在使用电池的设备中能够延长电池
续航时间，因为能耗低，产生的热量也就少，从而对冷却的要求也就低一些。
DDR 2&3几个新增特性的含义是：ODT（ On Die Termination）,DDR1
匹配放在主板上，DDR2&3把匹配直接设计到DRAM芯片内部，用来改善信号品质。OCD(Of
f Chip
Driver)是加强上下拉驱动的控制功能，通过减小DQS与/DQS(DQS是数据Strobe，源同步
时钟，数据的1和0由DQS作为时钟来判断) Skew(时滞)来增加信号的时序容限（Timing
Margin）。Posted CAS是提高总线利用率的一种方法。
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