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IGBT的保护

资料介绍
电源技术论文

IGBT的保护
摘要:通过对IGBT损坏机理的分析,根据其损坏的原因,采取相应措施对其进行保护,
以保证其安全可靠工作。
    关键词:IGBT;MOSFET;驱动;过压;浪涌;缓冲;过流;过热;保护
引言
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极
为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了
这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量
大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量
较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高
电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波
动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可
靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需
要重点考虑的一个环节。
1 IGBT的工作原理
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电
压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;
若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,
使得晶体管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
——IGBT栅极与发射极之间的电压;
——IGBT集电极与发射极之间的电压;
——流过IGBT集电极-发射极的电流;
——IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IG……
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