首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 常用文档 > 基于虚拟扇区的Flash存储管理技术

基于虚拟扇区的Flash存储管理技术

资料介绍
存储器论文

基于虚拟扇区的Flash存储管理技术
摘要:首先,针对闪存Flash的存储编程特点,提出一种基于虚拟扇区的闪存管理技术,
使系统对Flash的擦写次数大大降低,从而提高Flash的使用寿命和整个系统的性能。然
后,通过嵌入式系统电子名片管理器,介绍这一技术的使用。随着闪存的广泛应用,对
Flash的有效存储管理将有很大的实用意义和社会效益。
    关键词:闪存Flash 虚拟扇区VSS 存储管理 扇区分配表SAT
引言
随着嵌入式系统的迅速发展和广泛应用,大量需要一种能多次编程,容量大,读写、
擦除快捷、方便、简单,外围器件少,价格低廉的非易挥发存储器件。闪存Flash存储介
质就是在这种背景需求下应运而生的。它是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后
仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器
。因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低,因此闪存Flash将是
嵌入式系统中的一个重要组成单元。
然而,由于Flash读写存储的编程特点,有必要对其进行存储过程管理,以使整个系
统性能得以改善。
1 闪存Flash的存储编程特点
Flash写:由1变为0,变为0后,不能通过写再变为1。
Flash擦除:由0变为1,不能只某位单元进行擦除。
Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦
除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,
在进行Flash存储时,以擦除block为单位。
当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必
须先对整个block进行擦除,然后才能修改。通常,对于容量小的block操作过程是:先
把整个block读到RAM中,在
基于虚拟扇区的Flash存储管理技术
本地下载

评论