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存储器论文
新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M
摘要：Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是三星公司生产的大容量闪存芯片，它的单片容量可高达
２５６Ｍ。文中主要介绍了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的特性、管脚功能和操作指令，重点
说明了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存的各种工作状态，并给出了它们的工作时序。
关键词：闪存；Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ；大容量 Flash
闪存（ＦＬＡＳＨ
ＭＥＭＯＲＹ闪烁存储器）是一种可以进行电擦写，并在掉电后信息不丢失的存储器，
同时该存储器还具有不挥发、功耗低、擦写速度快等特点，因而可广泛应用于外部存储
领域，如个人计算机和ＭＰ３、数码照相机等。但随着闪存应用的逐渐广泛，对闪存芯
片容量的要求也越来越高，原来３２Ｍ、６４Ｍ的单片容量已经不能再满足人们的要求
了。而
Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的出现则恰好弥补了这一不足。Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ是三星公
司开发的目前单片容量最大的闪存芯片，它的单片容量高达２５６Ｍ，同时还提供有８
Ｍ额外容量。该闪存芯片是通过与非单元结构来增大容量的。芯片容量的提高并没有削
弱Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的功能，它可以在４００μｓ内完成一页２１１２个字节的编程
操作，还可以在２ｍｓ内完成１２８ｋ
字节的擦除操作，同时数据区内的数据能以５０ｎｓ／ｂｙｔｅ的速度读出。
Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ大容量闪存芯片的Ｉ／Ｏ口既可以作为地址的输入端，也可以
作为数据的输入／输出端，同时还可以作为指令的输入端。芯片上的写控制器能自动控
制所有编程和擦除操作，包括提供必要的重复脉冲、内部确认和数据空间等。
１ Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的性能参数
Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的主要特点如下：
●采用３．３Ｖ电源；
●芯片内部的存储单元阵列为（２５６Ｍ＋８．１９２Ｍ）ｂｉｔ×８ｂｉｔ，数据寄
存器和缓冲存储器均为（２ｋ＋６４）ｂｉｔ×８ｂｉｔ；
●具有指令／地址
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