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存储器论文
利用FPGA实现MMC2107与SDRAM接口设计
摘要：介绍基于现场可编程门阵列（FPGA），利用VHDL语言设计实现MMC2107与SDRAM接
口电路。文中包括MMC2107组成结构、SDRAM存储接口结构和SDRAM控制状态机的设计。
关键词：现场可编程门阵列 SDRAM EBI VHDL 状态机 K4S560832A
引言
在嵌入式系统中，微控制器中通常有一定容量的存储器，用来存放程序和数据，但由
于片内存储器受器件规模和生产成本的制约，其容量通常不能满足用户实际需求，还需
要使用半导体存储器件来扩展存储空间。如果采用SDRAM进行存储扩展，可以大幅度地降
低系统设计成本；但SDRAM控制时序比较复杂，给系统设计带来很大困难。为了方便使用
SDRAM，实现嵌入式系统中存储的大容量扩展，本文介绍一种新颖的解决方案：采用FPG
A技术和VHDL语言，实现MMC2107微控制器与SDRAM的接口设计。
1 SDRAM内部结构
SDRAM是一种具有同步接口的高速动态随机存储器。本文语选用的是三星公司生产的
32M×8位SDRAM器件K4S560832A。K4S560832A存储总容量256M位，内部分成4个全，每个体
8M字节，内部结构如图1所示。
K4S560832A为了能满足各种系统的使用要求，提供了时钟频率、猝发长度、延时节拍
等可编程参数。在芯片上电后可以通过地址线A12～A0配置，芯片只有在完成配置后才能
进入正常工作状态。在具体操作SDRAM时，首先，必须进行初始化配置，即写模式寄存器
，以便确定DRAM列选延迟节拍数、猝发类型、猝发长度等工作模式。然后通过ACT命令激
活对应地址的组，同时输入行地址。最后，通过RD或WR命令输入列地址，将相应数据读
出或写入到对应的地址。操作完成后，用相关命令中止读或写操作。在没有操作的时候
，
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