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第1章 半导体器件基础 3(3)

资料介绍
第1章 半导体器件基础 3(3)

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1.4 双极型晶体管(BJT)
1.4.1 BJT的结构
1. 两种结构:
2 .三个区:
3. 两个结:
4. 三个极:
5. 四种组合:







1.4.2 BJT中载流子的运动
1. 发射结载流子注入(扩散),产生发射极电流
(JE正偏压,产生正向电流iEn和iEp
(iE = iEn + iEp


2. 载流子在基区内的扩散与复合
(少子向C区扩散,形成扩散电流iCn
(少子与空穴复合,形成复合电流iBp
( iEn = iCn + iBp

3. 集电极的收集作用
(内电场收集电子,形成iCn
(少子形成反向电流ICBO


4. 电流关系
iE = iEn + iEp
iC = iCn + ICBO ( iCn
iB = iEp + iBp-ICBO
(共基极直流电流放大系数[pic]
[pic] = iCn /iE ( 1
(提高[pic]的办法
(载流子分布曲线(见图1.4.4)

1.4.3 BJT各极电流分配关系
( BJT的三种接法(三种组态)
( 三种组态的特点







1. 共基极电流分配关系
(输入与输出
(各极电流分配关系
[pic] = iCn /iE
iC = iCn + ICBO = [pic] iE + ICBO
(电流控制……
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