第1章 半导体器件基础 06

第1章 半导体器件基础 06

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1.5.1.3 P沟道MOS管
1. 结构及电路符号
(结构：
(符号：
(电流方向:
(偏压极性:
2. 特性曲线
（1）P沟道增强型MOS管特性曲线
(正方向规定
（2）P沟道耗尽型MOS管特性曲线？
3. P沟道MOS管的特性
((p((n
(占用面积大，结电容大，速度低

1.5.1.4 关于MOS管的几个问题
1. MOS管的低频跨导gm
(定义: gm = diD/d(GS (DS =常数
(意义：
(表达式：iD =kP/2(W/L ((GS－VGS(th))2(1+((DS )
gm = kP(W/L (VGSQ－VGS(th))(1+(VDSQ )
= 2IDQ /(VGSQ－VGS(th))
= ( 2 kP(W/L ( 1 + (VDSQ ) IDQ
(利用特性曲线求gm
2. MOS管D、S极互换的问题
3. 关于MOS管的参数
(VGS(th)与VGS(off)
(IDSS
(极限参数
① IDM ② PDM ③ V(BR)DS ,V(BR)GS
4. 关于B极的影响
（1）接法的原则
衬底与沟道PN结零偏或反偏
（2） 衬底电位(B((BS )对导电性能的影响
以N沟道M