第1章 半导体器件基础 05

第1章 半导体器件基础 05

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1.5 场效应晶体管(FET)
概述
1. 电极
2. 特点
3. 类型
1.5.1绝缘栅MOS场效应管
1.5.1.1 N沟道增强型MOS FET
1. 结构与电路符号





















2. 工作原理
( 原理电路
( 偏压vGS ( 0 ，vDS (0
（1）vGS对iD的控制作用
( vGS= 0
( 0 ( vGS (VGS(th)
( vGS =VGS(th)
( vGS控制沟道电阻，控制iD
(转移特性f (vGS)






















（2）(DS对iD的控制作用
( vGS (VGS(th)且不变（开启）
((DS = 0：
(0( vDS ((GS －VGS(th)：
( vDS =(GS－VGS(th)：“预夹断”
( vDS ((GS－VGS(th) ：
(击穿现象


3. N沟道增强型MOS管的特性曲线
（1）输出特性
(定义: iD =f((DS)((GS=常数
(输出特性曲线
(预夹断线方程
(DS =(GS－VGS(th) 或(GD = VGS(th)














( 截止区
(条件：(GS ( VGS(th)
(特点：iD ( 0(无沟道)
( 可变电阻区
(条件: (GS