第1章 半导体器件基础 02

第1章 半导体器件基础 02

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3. PN结的伏安特性
（1）理想PN结方程
iD = IS ([pic]－ 1)
（2）伏安特性曲线
正向特性：
( iD ( IS [pic]（(D (( VT）
( 阈值电压Vth
反向特性:
( ((D(((VT时，iD (－IS（饱和特性, 为什么？）
( 反向击穿现象

1.2.3 PN结的反向击穿特性
( 反向击穿现象
( 反向击穿电压V(BR)
( 击穿的危害
( 击穿机理
雪崩击穿
齐纳击穿
自学 P25～P26, 要求掌握 ：击穿的原因；特点

1.2.4 PN结的温度特性
1. 正向特性
(T ((曲线左移(为什么？)
(△(D /△T(－（2(2.5）mv/℃
2. 反向特性
( T ( (曲线下移（ IS(）
3. 击穿特性
( 雪崩击穿: T( ( V(BR) ( （为什么？）
( 齐纳击穿: T( ( V(BR)( （为什么？）

1.2.5 PN结电容
1. 势垒电容CT
(定义：CT = －dQ / d(D
(势垒电容CT 的非线性
2. 扩散电容 CD
(正向偏压下的少子存储效应
(电容效应△(D (△Q
(定义：CD = dQ / d(D
(扩散电容CD 的非线性
3. PN结电容CJ