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第1章 半导体器件基础 02

资料介绍
第1章 半导体器件基础 02

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3. PN结的伏安特性
(1)理想PN结方程
iD = IS ([pic]- 1)
(2)伏安特性曲线
正向特性:
( iD ( IS [pic]((D (( VT)
( 阈值电压Vth
反向特性:
( ((D(((VT时,iD (-IS(饱和特性, 为什么?)
( 反向击穿现象

1.2.3 PN结的反向击穿特性
( 反向击穿现象
( 反向击穿电压V(BR)
( 击穿的危害
( 击穿机理
雪崩击穿
齐纳击穿
自学 P25~P26, 要求掌握 :击穿的原因;特点

1.2.4 PN结的温度特性
1. 正向特性
(T ((曲线左移(为什么?)
(△(D /△T(-(2(2.5)mv/℃
2. 反向特性
( T ( (曲线下移( IS()
3. 击穿特性
( 雪崩击穿: T( ( V(BR) ( (为什么?)
( 齐纳击穿: T( ( V(BR)( (为什么?)

1.2.5 PN结电容
1. 势垒电容CT
(定义:CT = -dQ / d(D
(势垒电容CT 的非线性
2. 扩散电容 CD
(正向偏压下的少子存储效应
(电容效应△(D (△Q
(定义:CD = dQ / d(D
(扩散电容CD 的非线性
3. PN结电容CJ
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