资料介绍
有源器件、无源元件和单级放大器 清华大学微电子学研究所 Sep. 17, 2004
模拟集成电路的基本元器件和单级
放大器
池保勇 010-62795096(O)
清华大学微电子学研究所设计室
z教材:P.R. Gray, “Analysis and Design of Analog
Integrated Circuits”, §1、§3.1~ §3.3
z作业:教材,1.8(p.75), 1.16(p.76), 3.4(p.249),
3.9(p.249)
提要
z 二极管的伏安特性与电容特性
z 双极晶体管的大信号特性、小信号等效模
型、特征频率
z MOS管的大信号特性、小信号等效模型、
特征频率、短沟道效应
z 集成电阻器
z 集成电容器
z 单管放大器:共源、共漏、共栅(共发射
极、共集电极、共基极)
二极管的伏安特性
kT
z正向工作区: Vd >> VT =
q
Vd / VT Vd / VT
I d = I S (e 1) ≈ I S e
导通电压:Von ≈ 0.6V ~ 0.7V
z反向工作区:
Vd << VT I d = I S (eVd / VT 1) ≈ I S
二极管的伏安特性:击穿
ε (N A + ND )
BV Emax 2