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IC工艺原理

资料介绍
IC工艺原理

第一章 外延思考题
1. 外延是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。
2. 名词解释:
同质结外延:外延层和衬底为同种材料。也称子外延。
异质结外延:外延层和衬底是不同的材料。P2
正外延:在低阻衬底上外延高阻层(器件做在外延层上);
反外延:在高阻衬底上外延低阻层(器件做在衬底上);
SOS:在绝缘的蓝宝石衬底上生长硅的特称;
SOI结构:衬底为其他绝缘体时的名称
软误差:从封装材料中辐射出的a粒子进入衬底产生大量电子空穴对(约10^6量级),
在低掺杂的MOS衬底中,电子空穴对可以扩散50um,易受到电场的作用进入有源区,引起
器件误动作,这就是软误差。P14
3. 埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。P13
双极电路衬底在外延前需做隐埋扩散。引起图形漂移与畸变的原因一般认为是在外延
过程中,外延生长速率的差异所造成的,它与晶向、外延温度、生长速率、气相腐蚀
、外延厚度、反应气体的种类等多种因素有关。
4. 分析外延中的自掺杂效应,讨论解决办法。
自掺杂效应也称无意掺杂,包括杂质外扩散、气相自残杂和系统污染三种。它的存在
改变了界面附近外延层中的杂质浓度,产生了一个从衬底到外延层的杂质分布过渡区
,从而限制了由掺杂控制所能生长的最小薄层厚度以及最低掺杂浓度。P8
尽量降低温度,
5. 分析外延中的可能产生的几种缺陷,讨论解决办法。P12
1. 存在于衬底中并连续延伸到外延层中的位错
2. 衬底表面析出的杂质或残留的氧化物,吸附的碳氧化物导致的层错;
3. 外延工艺引起的外延层中析出杂质;
4.
与工艺或表面加工(抛光面划痕、损伤),碳沾污等有关,形成的表面锥体缺陷


5. 衬底堆垛层错的延伸
6. 此外……
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